11月6日，湖南省功率半導體產業對接會暨中國IGBT技術創新與產業聯盟（以下簡稱“IGBT聯盟”）第四屆國際學術論壇在株洲舉行。中國科學院院士陳星弼、中國工程院院士丁榮軍、中國工程院院士湯廣福等國內外專家、IGBT產業鏈上下游企業代表近300人參會。當天，湖南省制造業創新中心在株洲揭牌。

　　IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種新型功率半導體器件的主流器件，已廣泛應用于工業、計算機、航空航天、國防軍工、軌道交通、新能源汽車等產業。我國于2014年成立IGBT聯盟，旨在整合國內IGBT領域資源，推動我國電力電子技術，特別是IGBT技術與產業化發展。

　　本屆論壇上，陳星弼、湯廣福兩位院士和行業專家代表，從國際技術水平、IGBT產業發展機遇與挑戰、IGBT在不同應用領域等方面展開學術交流，共同探討全球IGBT技術與產業發展趨勢，謀劃進一步推動我國IGBT技術創新及產業化對策。

　　據介紹，我省正加快發展IGBT等新興優勢產業鏈。當天，湖南省制造業創新中心在株洲揭牌。該中心致力于打造國家級創新平臺，將展開功率半導體產業技術研發及產品開發，面向行業聯盟與產業鏈上下游提供設計、檢測等技術服務，開展國際交流和合作等。

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